CMPT8599 TR
型號: CMPT8599 TR
類別: IGBT陣列
封裝: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
描述: Central Semiconductor CMPT8599 TR雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) Complementary Trans 80Vcbo 80Vceo 5.0ebo
品牌官網(wǎng): www.centralsemi.com
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-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
封裝外殼
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
系列
|
-
|
不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(最大值)
|
300mV @ 10mA, 100mA
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躍遷頻率
|
150MHz
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功率 - 最大值
|
350mW
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供應(yīng)商器件封裝
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SOT-23
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電流 - 集電極(Ic)(最大值)
|
500mA
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電壓 - 集射極擊穿(最大值)
|
80V
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安裝類型
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Surface Mount
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電流 - 集電極截止(最大值)
|
100nA (ICBO)
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不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
|
100 @ 1mA, 5V
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Pd-功率耗散
|
350mW
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零件號別名
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CMPT8599PBFREETR
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集電極—射極飽和電壓
|
400mV
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制造商
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CentralSemiconductor
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最小工作溫度
|
-65C
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最大直流電集電極電流
|
500mA
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商標(biāo)
|
CentralSemiconductor
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封裝
|
Reel
|
最大工作溫度
|
+150C
|
安裝風(fēng)格
|
SMD/SMT
|
集電極—基極電壓VCBO
|
80V
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系列
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CMPT8599
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子類別
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Transistors
|
增益帶寬產(chǎn)品fT
|
150MHz
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產(chǎn)品種類
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雙極晶體管-雙極結(jié)型晶體管(BJT)
|
集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
|
80V
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工廠包裝數(shù)量
|
3000
|
晶體管極性
|
PNP
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發(fā)射極-基極電壓VEBO
|
5V
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